MOS/ESD

MOSFET 是现代电子系统中核心的功率开关器件，具备开关速度快、导通电阻小、损耗低、驱动容易、可靠性高等优势，广泛应用于电源管理、电机驱动、充电管理、无线通信等场景。它能高效实现电路通断控制与功率传输，有效提升系统效率、降低发热、简化电路设计，是各类智能硬件、工业控制、消费电子与物联网设备中提升性能、优化功耗、增强稳定性的关键元器件。

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模拟IC&功率器件-05

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高单元密度沟槽型N沟道场效应管MOSFET

  • 漏源击穿电压 (BVDSS):100V
  • 导通电阻 (RDSON):90mΩ
  • 连续漏极电流 (ID):5A

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