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MOS/ESD

5N10-MS

高单元密度沟槽型N沟道场效应管MOSFET

5N10-MS 是一款高单元密度沟槽型N沟道MOSFET,为大多数小功率开关和负载开关应用提供优异的导通电阻和效率。5N10-MS 符合 RoHS 和无铅绿色产品要求,具备完整的功能可靠性。

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漏源击穿电压 (BVDSS) 100V
导通电阻 (RDSON) 90mΩ
连续漏极电流 (ID) 5A

产品特性

绿色器件可选

超低栅极电荷

优异的 Cdv/dt 效应抑制能力

先进的高单元密度沟槽技术

参数详情

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应用场景
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