在低功耗系统中，为使整机功耗降到最低，外部的一些模块或电路会被单片机GPIO通过电子开关断电。
如上图所示，就是一个常用的电子开关模型，GPIO控制三极管Q2来拉高或拉低Q1场效应管的栅极电压。当GPIO设置为高时，Q2饱和导通，Q1的栅极拉低，Q1导通，被断电后外部LOAD电路得到MCU_VDD的供电。
当进入低功耗前，所有的电子开关都会关闭，即MCU通过GPIO控制，将所有耗电的外部电路、模块都断电，然后MCU自己也进入了低功耗模式；当从低功耗模式唤醒后，MCU会开启外部电路、模块，但是电子开关速度很快，如果外部电路、模块上本身带大电容，则在电子开关接通瞬间，大电容充电（相当于瞬间对地短路）产生极大电流，如附件图所示，Q1导通瞬间，由于LOAD电路中有大电容，MCU_VDD会在Q1导通瞬间因电流过大，电平被瞬间拉低然后回升。这样就产生了VDD的波动。
如何避免这种电源波动呢？
只需在R13电阻上并联一个电容即可，这样，当GPIO置高时，Q2基极的电压呈RC延时上升状态，Q2呈现的是缓慢导通的过程，所以Q1的导通也是缓慢的过程，LOAD电路中即使有大电容，也不会产生突然的超大电流影响MCU_VDD电平稳定性。
虽然每个工程师搭建的电子开关不一定完全一样，但基本原理和结构差不多。所以都可增加一个电容来解决电子开关快速导通导致的MCU_VDD电平突变问题。
